时间：2025/5/26 21:08:00
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NRVTS260ESFT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率、高频开关晶体管，专为高性能电源转换和射频应用而设计。该器件采用增强型常关 (E-Mode) 氮化镓场效应晶体管 (FET) 结构，具有低导通电阻和快速开关速度，适用于需要高功率密度和高效能的应用场景。
该产品采用了表面贴装技术 (SMD)，使其能够方便地集成到各种电路板中，同时其小型化的封装形式进一步提升了设计灵活性。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9A
导通电阻：35mΩ
栅极电荷：40nC
反向恢复时间：<50ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
NRVTS260ESFT1G 的主要特性包括高击穿电压能力，可确保在高压环境下的可靠运行；超低导通电阻有效减少了传导损耗，从而提高了整体效率；极低的栅极电荷和输出电荷使得开关损耗显著降低，进而支持更高的开关频率。
此外，该器件还具备优异的热稳定性和耐热冲击能力，能够在极端温度条件下保持性能一致性。它的高频特性非常适合于开关电源、DC-DC 转换器以及 D 类音频放大器等应用。
NRVTS260ESFT1G 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS)
2. 电动汽车 (EV) 充电器
3. 工业电机驱动器
4. 数据中心电源模块
5. 可再生能源逆变器
6. 射频功率放大器
这些应用场景充分利用了该器件的高频、高效和高温操作能力，大幅提升了系统的整体性能。
NRFET260ESFT1G
GXTS260ESFT1G
