制造商：LG Innotek
　　产品类型：SAW 滤波器模块
　　中心频率：约 2.4 GHz（具体依据应用场景而定）
　　工作频段：支持 LTE Band 7/Band 40/Band 41 等 TDD 频段
　　插入损耗：典型值 ≤ 2.0 dB
　　带外抑制：≥ 30 dB（典型）
　　阻抗匹配：50 Ω 输入/输出
　　封装类型：小型化多层陶瓷封装（尺寸约为 2.0 × 1.6 × 0.8 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　端接方式：表面贴装（SMD）
　　是否集成匹配网络：是（内置匹配元件）
　　应用频段示例：Band 40 (2300–2400 MHz), Band 41 (2496–2690 MHz)

LGNW6391MELB40 具备出色的射频性能和高度集成化设计，能够满足现代无线通信系统对滤波器高选择性和低损耗的需求。其核心基于表面声波（SAW）技术，利用压电材料的机电耦合效应实现电信号到机械波的转换，再通过精确设计的叉指换能器（IDT）结构完成频率选择性滤波。这种物理机制使其在目标频段内具有陡峭的过渡带和良好的带外抑制能力，有效隔离相邻信道干扰，提高接收灵敏度。该器件采用多芯片封装（MCP）技术，将多个 SAW 芯片及无源元件集成于单一模块内部，显著减小了整体占位面积，非常适合高密度布局的智能手机主板设计。同时，内置的输入输出匹配网络减少了外围调试工作量，提升了设计效率并降低了整机开发周期。热稳定性方面，该滤波器使用了低温度系数材料，确保在宽温环境下仍能维持稳定的频率响应特性，避免因环境变化导致通带漂移。结构上，其密封陶瓷封装提供了优异的防潮、抗氧化和抗电磁干扰性能，增强了长期使用的可靠性。此外，LGNW6391MELB40 支持高频段 TDD 操作模式，兼容多种 4G+/5G NR 场景，尤其适用于中国市场的 TD-LTE 和 NR Band 41 部署。它还具备良好的功率耐受能力，可在中等射频功率下长期运行而不发生性能退化，适合用作发射滤波器或双工器组件。整个制造过程遵循严格的品质控制标准，确保批次一致性与高良率，适合大规模自动化生产。
　　LGNW6391MELB40 还针对 EMI 抑制进行了优化设计，有助于降低系统级电磁兼容问题，提升整机认证通过率。其电气参数经过精细调校，能够在不同负载条件下保持稳定的群延迟特性，保障数字调制信号的完整性，减少误码率。作为一个面向高端移动设备的射频前端解决方案，该器件不仅满足当前主流通信协议的要求，也为未来网络升级预留了一定的技术余量。值得一提的是，该模块在设计时充分考虑了与其他射频组件（如功率放大器、开关、低噪声放大器）的协同匹配，可无缝集成进现有的 RF 前端模组架构中。总体而言，LGNW6391MELB40 凭借其高性能、小尺寸、高可靠性和系统兼容性，成为中高频段无线通信设备中关键的滤波元件之一。

该器件主要应用于支持 LTE-TDD 和 5G NR 的移动通信终端设备，包括智能手机、平板电脑、移动热点（MiFi）、CPE 设备以及工业级无线通信模块。特别适用于需要在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频段内工作的场景，例如中国的 TD-LTE Band 40 和 Band 41 部署，以及部分国家的 5G NR n41 频段接入。在这些应用中，LGNW6391MELB40 可作为接收滤波器、发射滤波堰或双工器的一部分，用于分离上下行链路信号，提升天线共用效率。它也可集成于 RF 前端模组（FEM）中，配合射频开关和功率放大器构成完整的发射路径处理单元。此外，由于其小型化和高集成特性，该滤波器也适用于穿戴式设备和物联网终端中对空间敏感的设计方案。在基站侧的小型化用户单元或室内分布系统中，同样可以找到其应用踪迹。凭借良好的环境适应性和长期稳定性，该器件还可用于车载通信系统和户外无线终端设备中，保障复杂电磁环境下的通信质量。在研发阶段，工程师常将其用于射频参考设计验证、原型测试和量产机型导入，以确保系统达到预期的射频性能指标。

Murata GQ8HP2312S10R00
　　Taiyo Yuden CFSJ2305A20-01
　　Kyocera AVX SQP2324K2300FA