M29F800A3BT80 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款8MB(兆位)的闪存(Flash Memory)芯片,属于NOR Flash类型。该芯片以其高性能和可靠性广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备以及需要非易失性存储的场合。M29F800A3BT80 采用TSOP(薄型小外形封装)设计,便于在空间受限的电路板上使用,同时支持多种编程和擦除操作,适合需要频繁更新固件的设备。
类型: NOR Flash
容量: 8Mbit (1M x 8 / 512k x 16)
电压: 2.7V - 3.6V
封装类型: TSOP
封装编号: TB16
工作温度范围: 工业级 (-40°C ~ +85°C)
读取访问时间: 最大80ns
擦除时间: 16KB 扇区擦除约1秒
编程时间: 每字节约3.5μs
封装引脚数: 56
M29F800A3BT80 是一款专为高性能嵌入式存储应用设计的 NOR Flash 存储器。其主要特点包括低功耗、高速访问和耐用的擦写性能。该器件支持异步读取操作,具有80ns的快速访问时间,适合需要实时数据处理的应用场景。该芯片内置了命令寄存器和状态寄存器,允许通过标准的微处理器接口进行控制。此外,M29F800A3BT80 支持扇区擦除和块擦除功能,提供了灵活的存储管理方式。其内部的擦写控制器可以自动完成编程和擦除操作,从而减轻了主控处理器的负担。
该芯片采用了先进的闪存技术,确保了其在高频率读写操作下的稳定性和可靠性。它具有超过10万次的擦写周期,数据保存时间可达10年以上,适合长期运行的工业设备和嵌入式系统。M29F800A3BT80 的TSOP封装设计使其在高密度PCB布局中具有良好的适应性,同时其低功耗特性也有助于延长设备的电池寿命。
为了提高系统的可靠性,M29F800A3BT80 还支持硬件写保护功能,可以防止意外的擦除和编程操作。此外,芯片内置的ECC(错误校正码)功能可检测和纠正单比特错误,提升数据完整性。
M29F800A3BT80 主要应用于需要非易失性存储的嵌入式系统,例如工业控制设备、网络设备、通信模块、手持终端和消费电子产品。它适用于需要快速读取、频繁更新固件或数据存储的应用场景,如路由器固件存储、智能电表的数据记录、医疗设备的参数存储以及汽车电子系统的控制模块。
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