LG5820是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,广泛应用于射频通信系统中。该芯片采用了先进的硅锗(SiGe)工艺技术,能够在高频段提供卓越的增益和低噪声性能。
LG5820的主要特点是其在高频率下的稳定性以及对信号的精准放大能力,适用于无线通信设备、卫星接收器和其他需要低噪声放大的场景。此外,它具有较低的功耗和较高的线性度,使其成为许多现代通信系统的理想选择。
工作频率范围:4.5GHz-6GHz
增益:17dB
噪声系数:1.2dB
输入回波损耗:10dB
输出回波损耗:12dB
最大输入功率:+10dBm
电源电压:3.3V
工作温度范围:-40°C至+85°C
LG5820具有以下主要特性:
1. 高增益和低噪声系数,非常适合于射频接收机前端的应用。
2. 在广泛的频率范围内保持稳定的性能,特别是在4.5GHz到6GHz之间。
3. 较低的功耗设计,有助于减少整体系统的能量消耗。
4. 高线性度保证了在大信号条件下也能维持较好的信号质量。
5. 小型化的封装形式使得其易于集成到各种紧凑型设计中。
6. 提供优异的输入和输出匹配性能,简化外部电路设计。
LG5820主要用于以下领域:
1. 无线通信基站及终端设备中的射频前端模块。
2. 卫星通信系统中的低噪声放大。
3. 微波链路和点对点无线电设备。
4. 雷达系统以及其他要求高灵敏度和低噪声的电子设备。
5. 测试测量仪器,如频谱分析仪和信号发生器等,用于提升测试精度。
HMC582LC4B
ATF-58122