LFV14-6Q 时间：2025/8/30 10:30:56 阅读：5

LFV14-6Q是一种低电压、低功耗的场效应晶体管（FET），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具有良好的导通特性和快速的开关响应，适用于电池供电设备、便携式电子产品和节能型电源系统。

参数

类型：场效应晶体管（FET）
　　技术：MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：1.4A
　　最大漏极电压（VDSS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω
　　封装类型：TO-92
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散（PD）：300mW

特性

LFV14-6Q具备低导通电阻和快速开关特性，使其在高效率电源转换系统中表现出色。其N沟道结构提供了良好的导通性能，并且能够在低电压条件下稳定工作，适用于需要低功耗设计的应用场景。
　　此外，该器件采用TO-92封装，具有较高的热稳定性和机械强度，适合在紧凑型电路设计中使用。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于工业级和汽车电子系统。
　　该晶体管的栅极驱动电压范围较宽，能够兼容多种控制电路，同时具备良好的抗静电能力，降低了在使用过程中因静电放电而损坏的风险。