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GN4N65FA9 发布时间 时间:2025/8/1 12:42:29 查看 阅读:35

GN4N65FA9 是一款由Giantec(杰华特)推出的N沟道增强型高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要面向电源转换、电机控制、DC-DC转换器、LED照明及工业自动化等应用领域。GN4N65FA9具有低导通电阻、高耐压、高效率和优异的热稳定性等优点,适用于各种中高功率电子系统的设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):650V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):4A(在TC=25℃时)
  脉冲漏极电流(IDM):16A
  导通电阻(RDS(on)):≤2.5Ω(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-92

特性

GN4N65FA9 MOSFET具备多项优异性能,首先其650V的漏源电压额定值使其适用于高电压环境,确保在多种电源系统中稳定运行。
  其次,该器件的低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高电源转换效率,这对于需要节能设计的应用尤为重要。
  此外,GN4N65FA9采用TO-92封装,具备良好的热管理能力,能够在高温环境下保持稳定工作。这种封装形式也便于安装和散热设计。
  该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V的最大栅源电压,使得其在不同控制电路中具有良好的兼容性。
  GN4N65FA9还具备较强的过载和瞬态电流承受能力,适合在电机驱动和开关电源等可能存在冲击电流的应用中使用。
  最后,该器件的高可靠性设计使其能够在恶劣工业环境中长期运行,满足工业级温度范围要求(-55℃ ~ +150℃),广泛适用于各类工业控制和电源设备。

应用

GN4N65FA9主要应用于各类电源管理系统,包括AC-DC开关电源、DC-DC转换器、电池充电器和LED照明驱动电路。
  在电机控制和驱动电路中,GN4N65FA9可用于H桥结构或单向驱动电路,实现对电机的高效控制。
  此外,该器件也适用于工业自动化设备、智能家电、不间断电源(UPS)以及光伏逆变系统等场景。
  由于其高耐压和低导通电阻的特性,GN4N65FA9特别适合需要高效率和高可靠性的设计场合。

替代型号

GN4N65FA9的替代型号包括STP4NK60Z、2SK2141、2SK2545、SiHP04N60ED等,这些型号在性能和参数上与GN4N65FA9相近,可根据具体应用需求进行选型替换。

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