时间：2025/5/21 19:45:38
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NVMFS5113PLT1G 是一款由安森美（onsemi）生产的超低电容 TVS 二极管阵列，专为保护高速数据线和 I/O 端口免受 ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和其他瞬态电压威胁而设计。该器件采用双向钳位结构，具有极低的负载电容，适合高速信号传输应用。
其封装形式为 SOT-23-6 封装，能够提供出色的 ESD 防护性能，并满足国际标准如 IEC 61000-4-2 和 MIL-STD-883 的要求。
额定电压：5.1V
最大反向工作电压：5.6V
击穿电压：5.9V
峰值脉冲电流：9.1A
箝位电压：10.2V
结电容：1.1pF
响应时间：1ps
漏电流：1uA
封装类型：SOT-23-6
NVMFS5113PLT1G 具备以下显著特点：
1. 极低的负载电容（1.1pF），非常适合高速接口如 USB、HDMI 和 DisplayPort 的保护。
2. 快速响应时间（1ps），确保在瞬态事件发生时迅速进行防护。
3. 双向钳位结构支持对称性保护，适用于双极性信号线路。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
5. 提供强大的 ESD 防护能力，达到 ±30kV（空气放电）和 ±30kV（接触放电）。
6. 小型化封装（SOT-23-6）有助于节省 PCB 空间。
这款 TVS 二极管广泛应用于消费电子、通信设备以及汽车领域中的高速数据接口保护。具体应用场景包括：
1. USB 2.0/3.0 数据线保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 接口防护。
3. 汽车信息娱乐系统的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
4. 移动设备中的射频前端防护。
5. 工业自动化系统中的 RS-232/RS-485 通信链路保护。
NUP2113T1G, PESD5V1X1BLTMA, SMAJ5.0A
