时间：2025/9/3 7:56:19
阅读：10
MHW5122 是一款由 Renesas Electronics（原 Intersil）推出的高功率密度、高频工作的半桥栅极驱动器 IC。该器件设计用于驱动 MOSFET 或 SiC（碳化硅）功率晶体管，适用于高效率的电源转换应用，如 DC-DC 转换器、服务器电源、电信电源系统、以及工业电源设备。MHW5122 采用高压集成电路（HVIC）技术，能够在高 dv/dt 环境下提供稳健的驱动性能。该 IC 提供高侧和低侧两个独立的栅极驱动通道，具有欠压锁定保护（UVLO）、互锁保护和短路保护等安全机制，以确保系统在异常情况下的稳定性。
供电电压范围：10V ~ 20V
高侧悬浮电压：最大 600V
驱动能力：峰值拉电流 2.5A / 灌电流 5A
输入逻辑电压兼容：3.3V / 5V / 15V
工作频率：最高支持 2MHz
传播延迟：典型值 80ns
延迟匹配：±5ns
封装类型：SOIC-16
MHW5122 的核心特性之一是其具备宽广的供电电压范围（10V 至 20V），这使得它可以适应多种功率器件的驱动需求，包括硅基 MOSFET 和宽禁带半导体如 SiC。其高侧驱动器采用浮动电源供电方式，可承受高达 600V 的电压，适用于高压功率电路拓扑结构。
该 IC 采用优化的输出驱动结构，具备较强的拉灌电流能力，拉电流为 2.5A，灌电流为 5A，可以快速开关功率器件，从而减少开关损耗。其驱动信号的传播延迟低至 80ns，并且高侧和低侧之间的延迟匹配误差小于 ±5ns，这对于高频和高效率电源变换器的设计至关重要。
MHW5122 还具备多项保护功能，例如欠压锁定（UVLO），确保在供电电压不足时不会误触发功率器件；输入信号互锁功能可防止上下桥臂同时导通，避免直通短路。此外，该 IC 的设计能够抵御高 dv/dt 噪声干扰，确保在高频开关环境中稳定运行。其 SOIC-16 封装形式具有良好的散热性能和工业级工作温度范围（-40°C 至 +125°C），适合在各种恶劣环境下工作。
MHW5122 主要应用于需要高频率、高效率、高可靠性的电源系统中，例如服务器电源、通信电源、DC-DC 转换模块、工业变频器、以及基于 SiC 或 GaN 器件的功率转换系统。由于其高集成度和可靠性，该 IC 也广泛用于新能源系统，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车充电模块等高要求的功率电子设备中。
IR2153、LM5109、UCC27531、NCP51820
