时间：2025/5/23 20:42:36
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DLW21HN181SQ2L 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET。该器件采用超小型 SOT-753 封装，适用于空间受限的设计。由于其低导通电阻和快速开关性能，这款 MOSFET 广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
该芯片具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和极小的封装尺寸，同时具备高雪崩击穿能力和良好的热稳定性，使其成为高性能功率管理应用的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏电流：1.4A
导通电阻：180mΩ
总栅极电荷：4nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-753
DLW21HN181SQ2L 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频电路设计。
3. 超小型 SOT-753 封装，节省 PCB 空间。
4. 强大的雪崩击穿能力，提高了系统的可靠性。
5. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，适应多种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
DLW21HN181SQ2L 可广泛用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 消费类电子产品的负载开关。
5. 工业自动化控制中的信号切换。
6. 电机驱动电路中的功率级元件。
7. 各种便携式设备中的功率管理模块。
DMN21HN181SFG,
NTMFS4829N,
FDS6680,
AO3400
