类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：10A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.27Ω @ VGS = 10V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　最大功耗（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LFV10-6Q 具备多项优良的电气和热性能，首先其低导通电阻（RDS(on)）能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽栅技术，增强了栅极控制能力，提高了开关速度并降低了开关损耗。
　　此外，LFV10-6Q 的最大漏源电压为 60V，适用于中等功率的 DC-DC 转换器和同步整流器等应用。其最大漏极电流可达 10A，具备较强的负载能力。器件的栅极阈值电压范围为 1V ~ 2.5V，适用于多种驱动电路设计，兼容多种控制器和驱动 IC。
　　在封装方面，LFV10-6Q 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，适合自动化生产和高密度 PCB 布局。该封装还具备较强的机械稳定性和热稳定性，能够适应较为严苛的工作环境。
　　此外，LFV10-6Q 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在突发的过载或短路情况下保持稳定运行，提高系统的可靠性和安全性。

LFV10-6Q 适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。在开关电源中，LFV10-6Q 可作为主开关或同步整流开关使用，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率。
　　在 DC-DC 转换器中，LFV10-6Q 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，适用于车载电源、工业控制电源和通信设备供电系统。在电机控制应用中，该器件可作为 H 桥电路的开关元件，实现对直流电机或步进电机的精确控制。
　　此外，LFV10-6Q 还可用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池组在安全范围内工作。其封装形式适用于自动化贴片工艺，适合高密度 PCB 设计和大规模生产。

IRFZ44N, FDPF6N60, STD10NF06L