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BUV27 发布时间 时间:2022/12/20 17:12:35 查看 阅读:480

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):120V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 800mA, 8A

    

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):120V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 800mA, 8A

    电流 - 集电极截止(最大):-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):-

    功率 - 最大:85W

    频率 - 转换:-

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-220-3 (直引线)

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:497-7216-5BUV27-ND


资料

厂商
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BUV27参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)12A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 800mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-
  • 功率 - 最大85W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-7216-5BUV27-ND