时间：2025/5/26 18:09:55
阅读：17
LFSB25N15B1925BA-809 是一款基于硅材料设计的高压功率场效应晶体管（MOSFET），属于N沟道增强型器件。该型号具有较高的击穿电压和较低的导通电阻，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换场景。其封装形式为行业标准的TO-247，能够提供优良的散热性能。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：25A
栅极阈值电压：3V~6V
导通电阻（典型值）：150mΩ
功耗：350W
工作结温范围：-55℃~+175℃
封装形式：TO-247
LFSB25N15B1925BA-809 的主要特点是具备出色的耐压能力和低导通损耗。
1. 高击穿电压：该器件支持高达1500V的漏源电压，使其适合用于高压环境中的功率转换。
2. 低导通电阻：典型导通电阻仅为150mΩ，在大电流应用中可显著减少功率损耗。
3. 快速开关速度：由于优化了内部结构设计，该器件具有较快的开关特性，从而减少了开关损耗。
4. 稳定性：即使在极端温度条件下，该型号也表现出良好的电气性能稳定性。
5. 散热性能优越：采用TO-247封装，允许通过大面积金属接触来有效散发热量，确保长期运行可靠性。
LFSB25N15B1925BA-809 广泛应用于需要高电压和大电流处理能力的场景：
1. 开关模式电源（SMPS）：例如工业级AC-DC转换器。
2. 电机驱动：包括伺服电机、步进电机和其他类型电动机的控制电路。
3. 逆变器：太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等电力调节设备。
4. 能量存储系统：电池管理系统（BMS）中的充放电控制部分。
5. 工业自动化：如PLC控制器、机器人驱动模块等需要高效功率管理的场合。
LFSB25N15B1925BA-810
LFSB25N15B1925BB-809
IRFP260N
FDP17N15
