时间：2025/7/25 15:46:18
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UFX7000-VE-TR是一款由United Advanced Semiconductor Corp（UAS Corp）制造的高性能场效应晶体管（FET），属于功率MOSFET类别。这款MOSFET专为高效率电源管理应用设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和快速开关特性。UFX7000-VE-TR采用先进的沟槽式MOSFET技术，能够在高电流负载下保持稳定性能，并降低开关损耗。该器件通常用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、电源开关以及其他需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A
最大漏-源电压（Vds）：60V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大3.7mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
引脚数：3
极性：N沟道
UFX7000-VE-TR MOSFET采用先进的沟槽式结构，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低功耗并减少发热。
该器件的高耐压能力（60V）使其适用于多种中高压电源管理系统，例如服务器电源、通信设备和工业自动化设备。此外，UFX7000-VE-TR具有高雪崩能量耐受能力，增强了其在高应力环境下的可靠性。
其封装形式为TO-263（D2PAK），提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率负载下的稳定性。此外，该封装支持表面贴装（SMD）安装，适用于自动化生产流程，提高了制造效率。
UFX7000-VE-TR具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关电源应用。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并降低驱动电路的负担，从而进一步提升整体系统的能效。
UFX7000-VE-TR广泛应用于各类功率电子设备中，特别是在需要高电流、高效率和高可靠性的场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的电压转换；在电池管理系统中，可用于电池充放电控制和保护电路。
在服务器和通信设备的电源模块中，UFX7000-VE-TR可用于同步整流器和负载开关，以提高电源转换效率并降低热损耗。此外，在电机控制系统中，该器件可作为H桥电路中的功率开关，实现对电机的精确控制。
由于其高可靠性和优异的热性能，UFX7000-VE-TR也适用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电动工具、电动车控制器等应用领域。其低导通电阻和高电流能力使其成为替代传统双极型晶体管（BJT）的理想选择。
SiS886DN-T1-GE3, Nexperia PSMN1R0-25YLC, Infineon BSC010N04LS G
