工作电压：6.2 V
　　击穿电压：6.9 V @ 1 mA
　　箝位电压：13.3 V @ 1 A
　　最大反向工作电压：5.5 V
　　最大反向漏电流：0.1 μA @ 5.5 V
　　响应时间：<1 ns
　　电容值：0.8 pF @ 0 V, 1 MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23-5

LESDA6V2V5T1G具备多项优良特性，适合用于高性能电子设备的ESD保护。
　　1. **低电容设计**：LESDA6V2V5T1G的典型电容值仅为0.8 pF，在高速数据线路中使用时对信号完整性影响极小，适用于如USB 3.0、HDMI 1.3和以太网等高频应用场景。
　　2. **双向保护功能**：该器件提供双向ESD保护，能够有效应对正负极性瞬态电压事件，保护敏感的集成电路免受损害。
　　3. **快速响应时间**：其响应时间小于1纳秒，能够在静电放电事件发生时迅速将能量导离受保护器件，提高系统的稳定性与可靠性。
　　4. **高浪涌耐受能力**：LESDA6V2V5T1G可承受IEC 61000-4-2标准下±30 kV空气放电和±30 kV接触放电的ESD冲击，满足工业级防护需求。
　　5. **低漏电流**：在正常工作条件下，其反向漏电流小于0.1 μA，不会对系统功耗造成显著影响。
　　6. **紧凑型封装**：采用SOT-23-5封装，节省PCB空间，适用于便携式设备和高密度电路设计。

LESDA6V2V5T1G广泛应用于需要静电放电保护的高速数据接口电路中。常见应用包括：
　　1. **通用串行总线（USB）接口**：用于保护USB 2.0、USB 3.0及更高版本接口中的数据线路和电源线路。
　　2. **高清多媒体接口（HDMI）**：在HDMI端口中提供ESD保护，防止因静电放电导致的信号失真或设备损坏。
　　3. **以太网接口**：用于千兆以太网和快速以太网端口的保护，确保网络设备在恶劣环境下的稳定运行。
　　4. **消费类电子产品**：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的高速数据接口保护。
　　5. **工业控制设备**：用于PLC、人机界面（HMI）等设备中敏感电路的ESD防护。
　　6. **汽车电子系统**：如车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）中的高速数据线路保护。

LESDA6V2V5T1G的替代型号包括NXP的PESD5V0S1BA、STMicroelectronics的ESD55101、以及ON Semiconductor自家的LESDA6V8AG等。这些器件在电性能、封装尺寸和应用范围上具有相似性，可根据具体设计需求进行选择。