时间：2025/4/3 9:18:00
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1206N680G500CT 是一款氮化镓 (GaN) 基高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用表面贴装封装，适用于高频、高效功率转换应用。该器件利用了氮化镓材料的卓越特性，具有高开关速度和低导通电阻的特点，非常适合于新一代电源管理解决方案。
该型号中的‘1206’表示尺寸规格为 1206（3.2mm x 1.6mm），‘N680’代表耐压等级为 680V，‘G500’指代栅极驱动电压范围优化至 5V 工作条件下的性能。
额定电压：680V
导通电阻：100mΩ
最大漏极电流：5A
栅极驱动电压：5V
开关频率：最高可达 5MHz
封装类型：1206 表面贴装
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
- 高耐压能力，适合高压应用场景。
- 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
- 超快开关速度，支持 MHz 级别的高频操作。
- 氮化镓技术带来的高效率和高功率密度。
- 小型化封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
- 优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
- 内置保护功能（部分系列），增强可靠性。
- 高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器
- 无线充电系统
- 快速充电适配器
- 电机驱动与控制
- LED 照明电源
- 太阳能微型逆变器
- 数据中心电源模块
- 电动汽车车载充电器 (OBC)
- 工业自动化设备中的高效电源解决方案
1206N650G400CT, 1206N600G500CS
