GBLLC03C是一款基于GaAs(砷化镓)工艺的低噪声放大器芯片,主要应用于射频和微波通信系统。该芯片设计用于高频信号的放大处理,能够在较低的噪声环境下提供较高的增益性能。其工作频率范围通常在3GHz至4GHz之间,非常适合于现代无线通信设备、卫星接收系统以及雷达应用等场景。
GBLLC03C以其卓越的线性度和稳定性而著称,能够确保在高动态范围内的信号不失真,并且具备较低的功耗特性,适合对能源效率要求较高的环境。
工作频率范围:3GHz-4GHz
增益:18dB
噪声系数:1.2dB
输入功率:-20dBm至+10dBm
输出功率:+15dBm
电源电压:3V
工作电流:60mA
封装形式:SOT-363
GBLLC03C采用先进的砷化镓半导体技术制造,这种材料具有更高的电子迁移率和更低的噪声特性,使其非常适合高频放大器应用。
该芯片内置了偏置电路,用户无需额外配置复杂的外部偏置网络,简化了电路设计过程。
它还拥有出色的温度稳定性,在-40℃至+85℃的工作范围内性能保持一致。
此外,GBLLC03C支持50Ω匹配阻抗,减少了对外部匹配元件的需求,进一步降低了整体解决方案的成本和复杂性。
由于其高增益和低噪声的特点,GBLLC03C在弱信号放大方面表现优异,特别适合需要高灵敏度的接收机前端。
GBLLC03C广泛应用于多种射频和微波通信领域,包括但不限于:
1. 卫星通信接收机前端
2. 雷达系统的信号放大模块
3. GSM/CDMA/LTE基站设备中的低噪声放大环节
4. Wi-Fi及物联网相关产品中的信号增强组件
5. 微波链路通信设备
其高性能指标和可靠性使得该芯片成为许多高端通信设备的理想选择。
GBLLC03D
GBLLC04C
ADL5533