类型：ESD保护二极管
　　工作电压：3.3V
　　反向断态电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：最小4.3V
　　钳位电压（VC）：最大12.8V（在Ipp=1A时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1A（8/20μs波形）
　　电容（CT）：典型值15pF
　　漏电流（IR）：最大100nA
　　封装形式：SOD-523
　　安装类型：表面贴装（SMD）

LESDA3V3W6T1G具备多项优异的电气和机械特性，使其在各类电子设备中表现出色。首先，其低电容设计（典型值15pF）确保了在高速数据传输应用中不会引起信号失真或衰减，适用于USB、HDMI、以太网等高速接口的保护。其次，该器件的双向结构使其能够有效应对正负极性瞬态电压，增强了其在复杂电磁环境下的适应能力。LESDA3V3W6T1G的响应时间极短，通常在皮秒级别，能够在静电放电事件发生时迅速启动保护机制，避免敏感电路受到损坏。此外，该器件的钳位电压较低（最大12.8V），在保护电路的同时减少了对下游元件的压力，提高了整体系统的可靠性。LESDA3V3W6T1G还具有极低的漏电流（最大100nA），在正常工作条件下对电路性能影响极小。其SOD-523小型封装设计不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装工艺的应用。最后，LESDA3V3W6T1G的结构材料符合RoHS环保标准，适用于各种环保要求较高的电子产品设计。

LESDA3V3W6T1G主要应用于需要静电放电保护的电子设备和系统中。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的高速数据接口保护，工业控制系统中的通信端口保护，以及消费类电子产品中的USB、HDMI、LAN等接口的ESD防护。此外，该器件也适用于汽车电子系统中对静电放电敏感的控制模块，如车载娱乐系统、导航设备和远程通信模块。由于其低电容和快速响应特性，LESDA3V3W6T1G也常用于保护射频和高频信号线路，确保信号完整性不受影响。在通信基础设施中，该器件可用于基站、路由器和交换机等设备的输入输出端口保护，以提高设备在恶劣电磁环境下的稳定性和可靠性。

LESDA3V3W6T1G的替代型号包括PESD3V3W6H、PESD3V3W6T5、LESDA3V3W6T1G的同类型封装器件，如LESDA3V3W6T1G-H和LESDA3V3W6T1G-T。