时间：2025/5/8 15:51:26
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PVG5A202C03R00是一款高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该型号采用TO-263封装形式，具有低导通电阻、高效率以及出色的热性能。其设计旨在降低功耗并提高系统可靠性，适用于工业、消费电子及汽车领域的多种应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.1A
导通电阻：3.7mΩ
栅极电荷：18nC
开关时间：典型值ton=14ns，toff=9ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
PVG5A202C03R00具备低导通电阻，能够显著减少传导损耗，提升整体效率。
该器件的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，并降低开关损耗。
采用TO-263封装，提供卓越的散热性能，适合高功率密度的应用需求。
工作温度范围宽广，能够在严苛环境下保持稳定运行。
通过优化设计，该MOSFET具有良好的电磁兼容性和抗干扰能力。
PVG5A202C03R00适用于多种电力电子转换场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载切换与保护电路
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 汽车电子系统中的电源管理单元
由于其高效能和高可靠性，该器件在新能源、智能家居以及通信基础设施中也得到广泛应用。
PVG5A202C03L00
PVG5A202C03H00
