LESD9D5.0 时间：2025/4/28 18:17:39 阅读：4

LESD9D5.0是一种基于GaN（氮化镓）技术的高效功率电子器件，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术，能够提供高效率和低损耗性能，适用于电源管理、快充设备以及工业自动化等领域。
　　其核心特点在于极低的导通电阻和快速的开关特性，能够显著提升系统的整体效率和稳定性。

参数

型号：LESD9D5.0
　　类型：GaN HEMT
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　连续漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：40mΩ
　　栅极阈值电压(Vth)：1.5V~3.5V
　　输入电容(Ciss)：1200pF
　　反向恢复时间(trr)：<10ns
　　工作温度范围：-55℃~+150℃

特性

LESD9D5.0采用了氮化镓材料，相比传统的硅基MOSFET具有更低的寄生电容和更短的反向恢复时间，从而实现了更快的开关速度和更高的效率。
　　其独特的结构设计还降低了热阻，提高了散热性能，使得器件在高功率密度环境下也能保持良好的可靠性。
　　此外，LESD9D5.0支持高达1MHz以上的开关频率，非常适合需要高频工作的应用场景。这种高频性能可以减少外部无源元件（如电感、电容）的体积和成本，进一步优化系统设计。

应用

LESD9D5.0广泛应用于高频DC-DC转换器、USB-PD模块、LED驱动电源以及各类工业控制设备中。
　　在消费和智能手机的快充方案，以实现更高的充电效率和更快的充电速度。
　　同时，在工业应用中，LESD9D5.0可用于电机驱动、不间断电源(UPS)和其他高压大电流场景，确保系统运行更加高效且稳定。