型号：UTD452L-TN3-R
　　制造商：Unipower（友台半导体）
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管极性：N-Channel
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：5.8A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：23.2A
　　导通电阻(RDS(on))：17mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：20mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：520pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：45pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：8.5nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：1W @ Ta=25°C
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C

UTD452L-TN3-R采用先进的沟槽式场效应晶体管工艺，具备极低的导通电阻，这使得它在低电压、大电流的应用场景中表现出色。其RDS(on)最大仅为20mΩ（在VGS=4.5V时），有效减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。这种低导通电阻特性特别适用于电池供电设备中的电源管理模块，例如移动电源、蓝牙耳机、智能手表等便携式产品，有助于延长电池续航时间。此外，该器件的栅极电荷Qg仅为8.5nC（在VGS=10V时），意味着驱动所需的能量较少，进一步降低了开关过程中的动态损耗，非常适合高频开关应用如同步整流DC-DC变换器和负载开关电路。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，其SOT-23封装虽然体积小巧，但在适当的PCB布局下可实现有效的散热管理，确保长时间运行时结温处于安全范围内。器件的阈值电压范围为0.6V至1.2V，属于逻辑电平兼容类型，可以直接由3.3V或更低电压的控制器驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，输入电容Ciss为520pF，输出电容Coss为190pF，Crss为45pF，这些较低的寄生电容参数有助于减少开关延迟和电磁干扰（EMI），提升高频工作的稳定性。
　　UTD452L-TN3-R还具备较强的抗静电能力（HBM模型下可达2kV以上），增强了在生产和装配过程中的鲁棒性。器件符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持无铅回流焊工艺，适应现代环保制造趋势。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境温度下稳定运行，适用于工业控制、消费电子和汽车电子等多种领域。综合来看，UTD452L-TN3-R是一款高性能、高性价比的N沟道MOSFET，凭借其低RDS(on)、低Qg、逻辑电平驱动能力和小型化封装，在各类高效电源管理系统中展现出卓越的技术优势。

UTD452L-TN3-R广泛应用于需要高效、小型化功率开关解决方案的场合。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关和电源路径管理，如智能手机、平板电脑、TWS耳机和可穿戴设备，在这些设备中用于控制不同功能模块的上电与断电，以实现节能和热管理。此外，它常用于同步整流式DC-DC降压转换器中作为下管或上管使用，尤其在输入电压低于5V的低压系统中表现优异，能够显著降低导通损耗，提高转换效率。该器件也适用于LED驱动电路，作为恒流调节或开关控制元件，提供快速响应和低功耗操作。在电机驱动方面，UTD452L-TN3-R可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，控制方向和启停功能，适用于玩具、家用电器和小型自动化设备。另外，其高电流承载能力和快速开关特性使其成为电池保护电路和热插拔控制电路的理想选择，能够在过流或短路情况下迅速切断回路，保护后级电路安全。由于其SOT-23封装体积小且便于自动化贴片生产，因此在高密度印刷电路板（PCB）设计中具有明显优势，特别适合对空间敏感的消费类电子产品。工业级温度范围和稳定的电气性能也使其可用于工业传感器、IoT节点设备和嵌入式控制系统中，执行电源切换和信号通断任务。总之，UTD452L-TN3-R凭借其优异的电气特性和紧凑封装，已成为现代低电压功率管理设计中的关键组件之一。

AO4521, DMG2302U, FDMT66011, SI2302DS, BSS138AK, RUK250N02, AP2302GN