类型：双极型晶体管阵列
　　晶体管数量：4个NPN晶体管
　　最大集电极电流：100mA（每个晶体管）
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大基极电流：5mA
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：SOP-16或DIP-16
　　增益带宽：250MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：110～800（根据不同档位）

CJDE8404是一款高度集成的晶体管阵列芯片，其内部集成了4个独立的NPN型晶体管，每个晶体管均可独立使用，具备良好的匹配性和一致性。该芯片采用了先进的硅外延平面工艺，具有较高的电流放大系数（hFE）和较低的饱和压降。CJDE8404在设计上优化了高频响应性能，使其在250MHz的增益带宽下仍能保持稳定工作，适用于中高频放大和开关电路。
　　此外，CJDE8404的封装形式多样，包括SOP-16和DIP-16两种常见封装，适用于不同的PCB布局需求。该器件具有良好的热稳定性和抗干扰能力，在高温环境下仍能保持可靠运行。其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适合用于低电压、中等功率的电子系统中。
　　该芯片还具有较低的输入偏置电流和较高的输入阻抗，适用于模拟信号处理、逻辑电平转换、缓冲驱动等应用。其封装引脚排列设计合理，便于用户进行焊接和测试，提高了产品的可制造性和可维护性。

CJDE8404主要应用于以下几类电子系统中：
　　1. 工业控制设备：如PLC、传感器信号调理电路、继电器驱动电路等；
　　2. 通信设备：用于信号放大、电平转换、缓冲器设计等；
　　3. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、负载开关、电源分配控制等；
　　4. 消费类电子产品：如智能家电、LED驱动、音频放大电路等；
　　5. 测试与测量仪器：用于信号源驱动、多通道信号处理等应用场景。

ULN2003A, MC1413B, TIP122, 2N3904