时间：2025/6/12 14:49:41
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LESD8D12AT5G 是一款基于硅工艺制造的高压大功率二极管芯片，适用于高频率和高电压场景下的整流和开关应用。该器件具有低正向压降、快速恢复特性和高浪涌电流能力，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
其封装形式为表面贴装类型，适合自动化生产，并在恶劣环境下具备优良的可靠性和稳定性。
最大重复峰值反向电压：1200V
平均正向电流：8A
最大正向压降：1.4V
最大功耗：200W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
存储温度范围：-65℃ 至 +175℃
LESD8D12AT5G 的核心优势在于它的高压处理能力和快速恢复时间。这款二极管采用先进的外延技术，确保了较低的正向电压降，从而减少了导通时的功率损耗。此外，它具有出色的热稳定性和机械强度，能够在高频开关条件下长期运行。
该芯片还具有抗静电（ESD）保护设计，进一步提升了其在复杂电磁环境中的可靠性。同时，其表面贴装的封装方式简化了安装流程，降低了生产成本。
这款二极管芯片广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动电路以及电动车辆充电系统等。由于其高压和大电流特性，LESD8D12AT5G 在需要高效能量转换和高可靠性保障的应用中表现尤为突出。
此外，它还可用于各种类型的开关电源（SMPS）以及脉宽调制（PWM）控制器中，以满足对高性能整流元件的需求。
FF8D12P, BYM8D120
