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LESD5Z7.0CT1G 发布时间 时间:2025/8/13 10:40:02 查看 阅读:10

LESD5Z7.0CT1G是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装(SMT)型静电放电(ESD)保护二极管,专为保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压的损害而设计。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术,具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等特点,适用于各种便携式电子设备和通信接口的ESD保护。

参数

类型:ESD保护二极管
  封装形式:SOD-523
  工作电压:7.0V
  最大反向工作电压(VRWM):7.0V
  击穿电压(VBR):最小7.78V,典型8.2V,最大8.62V
  最大钳位电压(VC):13.3V(在Ipp = 1A条件下)
  峰值脉冲电流(Ipp):±1A(8/20μs波形)
  漏电流(IR):最大100nA(在VRWM下)
  响应时间:快速响应,通常小于1ns
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  存储温度范围:-55°C至+150°C

特性

LESD5Z7.0CT1G具有低工作电压,适用于需要在7.0V电压下进行ESD保护的应用。其低钳位电压确保了在瞬态电压事件中对下游电路的保护更加有效,减少可能对敏感元件造成的损害。该器件的SOD-523封装形式使其非常适合用于空间受限的便携式电子产品设计中。此外,该ESD保护二极管具备高可靠性,可在极端温度条件下保持稳定工作,适用于各种恶劣环境。其快速响应时间能够有效应对高速静电放电事件,提供即时保护。漏电流非常低,有助于降低功耗并减少对电路性能的影响,适用于低功耗应用设计。

应用

LESD5Z7.0CT1G广泛应用于需要ESD保护的电子设备中,尤其适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。该器件也常用于数据通信接口(如USB、HDMI)的保护,防止静电放电对高速数据传输线路造成干扰或损坏。此外,LESD5Z7.0CT1G还可用于电源管理电路、电池供电设备以及各类消费类电子产品的输入/输出(I/O)端口保护。

替代型号

PESD5Z7.0U NXP
  ESD5Z7.0 STMicroelectronics
  SP1012-07ETG Semtech

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