时间：2025/5/20 15:41:45
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FQS4901-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率管理、开关电源、负载开关和电机驱动等领域。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适合需要高效能和小型化的应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：27nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃至+175℃
FQS4901-NL具有低导通电阻，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。
其高电流能力和快速开关性能使其非常适合高频开关应用。
同时，它具备强大的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下长时间运行。
此外，TO-252封装提供良好的散热性能，便于设计和布局。
FQS4901-NL还具有优异的雪崩击穿能力，增强了在异常情况下的保护功能。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动电路、LED驱动以及负载开关等。其低导通电阻特性特别适合于要求高效率和低功耗的应用场景，例如笔记本电脑适配器、消费类电子产品中的电源模块和工业控制设备中的功率级电路。
FQP50N06L
IRF540N
STP36NF06L
