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LESD11LL5.0CT5G-HW 发布时间 时间:2025/8/13 3:20:34 查看 阅读:4

LESD11LL5.0CT5G-HW 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的低电容ESD(静电放电)保护二极管阵列,专为保护敏感电子设备免受静电放电和瞬态电压的影响而设计。该器件采用了先进的硅雪崩技术,能够在极短的时间内响应并钳制过电压,从而保护下游电路。LESD11LL5.0CT5G-HW 特别适用于高速数据线路和接口保护,如USB、HDMI、以太网、DisplayPort等应用。该器件采用小型化的SOT-23-5封装,节省PCB空间,并具有低电容特性,以确保对高速信号完整性的影响最小。

参数

工作电压:5.0V
  钳位电压(Vc):最大8.0V(在Ipp=1A条件下)
  峰值脉冲电流(Ipp):1A(8x20μs波形)
  反向关态电压(VRWM):5.0V
  漏电流(IR):最大100nA(在VRWM条件下)
  电容(C):典型值1.5pF(在f=1MHz,VR=0V条件下)
  封装形式:SOT-23-5
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

LESD11LL5.0CT5G-HW 具备多项优异的电气和物理特性,使其成为高速接口保护的理想选择。
  首先,该器件的低反向关态电压(VRWM)为5.0V,能够很好地匹配5V电源系统的保护需求,确保在正常工作电压下不会影响电路的运行。同时,其钳位电压较低,最大为8.0V(在1A的峰值电流下),这有助于减少对被保护设备的电压应力,提升整体系统的可靠性。
  其次,LESD11LL5.0CT5G-HW 的钳位响应时间极短,通常在皮秒级别,能够在静电放电事件发生的瞬间迅速动作,有效抑制瞬态过电压。这种快速响应能力对于保护现代高精度IC(如FPGA、ASIC、高速收发器等)至关重要。
  此外,该器件的电容值非常低,典型值仅为1.5pF,这在高速信号传输应用中尤为关键。低电容特性可确保在保护电路的同时,不会对信号完整性造成明显影响,避免信号失真或传输速率下降,适用于USB 3.0、HDMI 1.4、10/100以太网等高速接口。
  LESD11LL5.0CT5G-HW 还具备良好的浪涌耐受能力,能够承受IEC 61000-4-2标准中规定的±30kV接触放电和±30kV空气放电的ESD冲击,满足工业级和消费类电子产品的电磁兼容性要求。
  最后,该器件采用SOT-23-5小型封装,便于在高密度PCB布局中使用,并具有良好的热稳定性和机械强度。

应用

LESD11LL5.0CT5G-HW 主要应用于需要对高速数据线和电源线进行静电放电保护的各种电子设备和系统中。其典型应用包括但不限于以下领域:
  1. **消费类电子产品**:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴设备等,用于保护USB、HDMI、DisplayPort、耳机插孔等外部接口免受静电和瞬态电压损害。
  2. **通信设备**:包括路由器、交换机、光模块、网络适配器等,用于保护以太网、光纤通信、RS-485等高速数据接口。
  3. **工业控制系统**:如PLC、工业PC、传感器模块等,用于保护现场总线接口(如CAN、RS-232)、人机界面(HMI)和I/O端口。
  4. **汽车电子**:用于车载娱乐系统、导航系统、摄像头模块、CAN总线接口等,提供符合AEC-Q101标准的ESD保护方案。
  5. **测试与测量仪器**:如示波器、信号发生器、万用表等,用于保护高精度模拟和数字输入通道。
  6. **医疗设备**:如便携式诊断设备、监护仪、超声设备等,用于保护敏感的信号和电源线路,确保设备的稳定性和安全性。

替代型号

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