时间：2025/5/20 19:35:28
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NTD4810N-1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 Nexperia（原 Philips 半导体）的 Small Signal MOSFET 系列。该器件采用 SOT23 封装，具有体积小、开关速度快和低导通电阻的特点，广泛应用于各种电子设备中，特别是在便携式设备、电源管理电路和信号切换场景中。
NTD4810N-1G 的设计旨在提供高效的电流控制和较低的功耗，其高击穿电压和快速开关能力使其非常适合在低压应用中使用。
型号：NTD4810N-1G
封装：SOT23
VDS（漏源极耐压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值@VGS=10V）：0.55Ω
ID（连续漏极电流）：1.1A
VGS(th)（阈值电压）：1.5V~2.5V
Qg（栅极电荷）：7nC
fSW（最大开关频率）：5MHz
工作温度范围：-55℃~150℃
NTD4810N-1G 具有以下主要特性：
1. 小型化封装：采用 SOT23 封装，适合空间受限的应用场景。
2. 高效率：具备低导通电阻 RDS(on)，从而降低传导损耗。
3. 快速开关能力：由于其较小的栅极电荷 Qg，能够支持高频开关操作。
4. 宽工作温度范围：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内稳定工作。
5. 低静态功耗：当处于关断状态时，漏电流极低，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
6. 抗静电性能强：ESD 耐受性符合 JEDEC 标准，提高了产品的可靠性。
NTD4810N-1G 可应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源中的功率级控制。
2. 各类负载开关，如 LED 驱动、电机驱动等。
3. 电池保护电路，用于防止过流或短路。
4. 数据通信线路保护与切换。
5. 便携式电子产品，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与传输。
7. 汽车电子系统中的低压逻辑兼容开关。
NTD4905N, PSMN012-30PL, BSS138
