容量：4Gb
　　类型：DRAM
　　封装类型：BGA（Ball Grid Array）
　　工作电压：1.8V
　　数据速率：166MHz
　　存储结构：x16
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

H9TCNNN4KDCMUR-NDMR 芯片具备多项优异特性。首先，其高容量4Gb能够满足中高端嵌入式设备和消费类电子产品对内存容量的需求。该芯片采用先进的DRAM技术，确保了高速数据访问和较低的延迟。同时，其工作电压为1.8V，相较于传统的3.3V或更高电压的DRAM芯片，具有更低的功耗和更高的能效，有助于延长设备的电池寿命并减少热量产生。
　　此外，H9TCNNN4KDCMUR-NDMR 使用BGA封装技术，使得芯片在PCB（印刷电路板）上的安装更加稳固，电气性能更优越，适合高密度电路设计。其支持-40°C至+85°C的工作温度范围，使其能够在各种恶劣的工业环境中稳定运行，适用于工业自动化设备、车载系统、通信基础设施等领域。
　　这款DRAM芯片还支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新，能够在系统待机或低功耗状态下保持数据的完整性，从而提升整体系统的节能能力。其x16的数据总线宽度也提供了更高的数据吞吐能力，适用于图像处理、视频流传输等对内存带宽要求较高的应用。

H9TCNNN4KDCMUR-NDMR 广泛应用于多种高性能电子设备和系统中。例如，它常见于智能手机、平板电脑、智能电视等消费类电子产品中，作为主内存使用，以支持操作系统和应用程序的流畅运行。在工业控制领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机、自动化设备等，以确保系统在复杂环境下的稳定性和响应速度。
　　此外，H9TCNNN4KDCMUR-NDMR 还适用于网络设备，如路由器、交换机和接入点，以提供足够的内存支持高速数据转发和缓存处理。在嵌入式系统方面，该芯片可作为图像处理模块、视频监控设备、车载信息娱乐系统的核心存储单元，确保数据的高效读写与处理。
　　由于其宽温特性和高可靠性，该芯片也适合用于航空航天、医疗设备、测试仪器等对稳定性和耐用性要求极高的高端应用场合。

H9TCNNN4KDCMUR-NDMR 的替代型号包括 H9TCNNN4KDCMUR-R、H9TCNNN4KDMUMR-NDMR、H9TCNNN4KDCMUR-NYMR 等，这些型号在容量、封装形式、工作电压或频率上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。