IS64LV25616AL-12TLA3-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件容量为256K x 16位,适用于需要高速访问和低功耗的应用场景。它采用CMOS工艺制造,具备高性能和可靠性。封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于各种嵌入式系统、通信设备和工业控制设备。
容量:256K x 16位
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:12ns
封装类型:TSOP
封装引脚数:54
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
最大工作频率:约83MHz
输入/输出电压兼容性:TTL兼容
待机电流:最大10mA(典型值)
IS64LV25616AL-12TLA3-TR具备多个高性能特性。首先,它的访问时间仅为12纳秒,使其适用于高速缓存和实时数据处理系统。其次,芯片支持低电压操作,电压范围为2.3V至3.6V,适应多种电源设计需求,同时具备低功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,适合便携式设备和节能型系统。此外,该SRAM芯片的CMOS结构提供了良好的抗噪能力和稳定性。封装形式为TSOP,具有较小的体积和良好的散热性能,适合在空间受限的PCB设计中使用。最后,该器件的输入和输出引脚支持TTL电平兼容,方便与其他逻辑电路连接。
该芯片广泛应用于需要高速存储器的嵌入式系统,如工业控制、网络设备、通信模块和测试仪器。其低功耗特性也使其适用于电池供电设备和需要长时间运行的系统。此外,IS64LV25616AL-12TLA3-TR常用于缓存存储器、图像处理模块、数据采集系统以及智能卡终端等设备中。其高速访问和稳定性也使其成为FPGA和DSP系统的理想选择,用于存储临时数据和程序。
IS64LV25616A-12TLI、CY7C1041CV33-12ZSXI、IDT71V416SA12PFG、AS7C256R16A-12TCB