类型：TVS二极管
　　方向：单向
　　工作电压：5.0V
　　峰值脉冲电流（IPP）：2.86A（8/20μs）
　　钳位电压（VC）：9.2V（最大）
　　反向关态电压（VRWM）：5.0V
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

LESD11D5.0ET5G 是一款专为低电压应用设计的瞬态电压抑制二极管，具有优异的电气性能和可靠性。该器件的主要特性包括快速响应时间、低钳位电压和良好的ESD保护能力。其响应时间可低至皮秒级，能够在瞬态电压事件发生时迅速导通，将电压限制在安全范围内，从而有效保护下游电路不受损害。此外，该TVS二极管的钳位电压仅为9.2V（最大值），确保在瞬态事件中对低压电路提供可靠的保护。
　　LESD11D5.0ET5G 采用SOT-23小型封装，节省PCB空间，适合用于便携式设备和高密度电路设计。其额定ESD耐受能力达到IEC 61000-4-2 Level 4标准（±8kV接触放电，±15kV空气放电），适用于需要高静电防护的应用场景。该器件还具有低漏电流（通常小于10nA），在正常工作条件下不会影响电路的运行。此外，其高浪涌电流承受能力（最大2.86A）使其能够在极端环境下保持稳定工作。
　　LESD11D5.0ET5G 的设计使其广泛应用于通信接口、USB端口、HDMI、以太网等高速信号线路的保护。由于其优异的动态阻抗特性，在高电流条件下仍能维持较低的钳位电压，从而减少对被保护器件的压力。这种性能使其成为现代电子设备中不可或缺的保护元件。

LESD11D5.0ET5G 主要用于各种电子设备中需要静电和浪涌保护的场合。典型应用包括USB接口、HDMI接口、以太网接口、RS-232通信端口、音频/视频信号线、便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、数码相机）、工业控制系统、汽车电子模块以及网络和通信设备。该器件特别适合用于低压、高速数据线路的保护，确保在恶劣电磁环境中维持系统的稳定性和可靠性。

PESD5V0S1BA, SMAJ5.0A, SMLTV5.0A, TVS2201B, ESD5551