时间：2025/5/10 8:53:12
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CBW322513U121T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 技术，具有极低的导通电阻和快速开关能力，适用于 DC-DC 转换器、电源适配器、无线充电以及电机驱动等应用场景。
其封装形式为表面贴装型，有助于提高散热性能并简化 PCB 设计。
型号：CBW322513U121T
类型：增强型功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
Vds（漏源电压）：600V
Rds(on)（导通电阻）：120mΩ
Id（持续漏极电流）：12A
Qg（栅极电荷）：45nC
Ciss（输入电容）：1380pF
fsw（最大开关频率）：5MHz
封装形式：TO-252（DPAK）
CBW322513U121T 的主要特性包括：
1. 高耐压能力（600V），可适应多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（120mΩ），有助于降低传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能（最高支持 5MHz 开关频率），适合高频应用。
4. 增强型结构，仅需正向栅极驱动电压即可开启。
5. 内置 ESD 保护功能，提高了芯片在实际应用中的可靠性。
6. 小尺寸封装（TO-252），便于集成到紧凑型设计中。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. USB-PD 电源适配器。
3. 快充设备及无线充电模块。
4. 工业用电机驱动控制器。
5. LED 驱动电路及太阳能微型逆变器。
6. 各类高效率电力电子转换装置。
CBW322513U151T, CBW322513U122T
