时间：2025/8/5 16:33:25
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IXGT39N60B 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流应用。该器件采用 TO-247 封装，具有优良的导通和开关性能，适用于工业电源、变频器、马达控制、开关电源（SMPS）等领域。IXGT39N60B 的设计使其能够在高达 600V 的漏极-源极电压下工作，具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：39A
漏极-栅极电压(Vdg)：600V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：典型值为 0.14Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
功率耗散(Pd)：300W
IXGT39N60B 采用先进的平面技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，这使得其在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高整体效率。此外，IXGT39N60B 的封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中能够有效散热，延长器件寿命。
这款 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。其高雪崩能量耐受能力进一步增强了器件在极端条件下的稳定性。IXGT39N60B 的设计考虑了在高频开关应用中的性能需求，确保了在高频率下的稳定运行。
IXGT39N60B 主要应用于高功率开关电源（SMPS）、工业电机控制、逆变器、变频器、UPS（不间断电源）系统、电焊设备、太阳能逆变器和电能质量调节装置等。由于其优异的电气特性和高可靠性，IXGT39N60B 在工业自动化、电力电子变换和新能源系统中具有广泛的应用前景。
IXGT40N60B、IXFH39N60P、IXFH40N60P
