时间：2025/8/13 9:52:46
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LEDZ7.5BT1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和稳压应用。该器件具有7.5V的齐纳击穿电压，适用于需要稳定电压参考的电路设计，如电源管理、电压监控和保护电路等。LEDZ7.5BT1G采用表面贴装（SMT）封装技术，便于自动化生产和小型化电路设计。
齐纳电压：7.5V
齐纳电流：5 mA
最大功耗：200 mW
最大反向电流：100 nA
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOD-523
LEDZ7.5BT1G具备优良的电压稳定性，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压，确保电路的可靠性。该器件的最大功耗为200毫瓦，适用于低功耗设计需求。其表面贴装封装形式（SOD-523）提供了较小的封装尺寸，适合在空间受限的应用中使用。
此外，该齐纳二极管的最大反向漏电流仅为100纳安，具有较低的泄漏电流特性，有助于提高电路的能效。LEDZ7.5BT1G的广泛工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于工业级和汽车级应用环境。器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。
LEDZ7.5BT1G广泛应用于各种电子设备中，包括电源管理模块、电压参考源、电池充电电路、信号调节电路以及过压保护电路等。其稳定电压输出特性使其成为模拟和数字电路中重要的电压参考元件。在嵌入式系统和便携式设备中，该器件常用于为ADC、DAC等模拟电路提供精准的电压基准。此外，它也可用于保护敏感电子元件免受过压或静电放电（ESD）损害，提高系统的稳定性和可靠性。
BZX84C7.5E6384, MMSZ5239B-7-F
