RFP-100N50TW 时间：2025/5/22 19:15:17 阅读：3

RFP-100N50TW 是一种基于硅技术的高压 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)，专为高效率开关应用设计。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统性能。
　　这种 MOSFET 通常用于电力电子领域，例如开关电源、逆变器、电机驱动器以及其他需要高效能量转换的应用场景。

参数

最大漏源电压：500V
　　连续漏极电流：100A
　　导通电阻：0.18Ω
　　栅极电荷：45nC
　　开关时间：ton=35ns, toff=60ns
　　结温范围：-55°C 至 +175°C

特性

RFP-100N50TW 具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，在大电流条件下减少了传导损耗。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用场合，降低了开关损耗。
　　3. 超高雪崩击穿能力，确保在异常工作条件下的可靠性。
　　4. 紧凑型封装设计，便于散热管理并节省 PCB 空间。
　　5. 符合 RoHS 标准，环境友好。
　　6. 广泛的工作温度范围使其适应极端环境。

应用

RFP-100N50TW 的典型应用包括：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
　　2. 太阳能逆变器中的功率级控制。
　　3. 工业电机驱动器及伺服系统中的功率转换模块。
　　4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的车载充电器与电池管理系统。
　　5. 高压 DC-DC 转换器中的功率开关组件。
　　6. 各种工业和消费类电子产品中的负载切换功能。