时间：2025/8/6 9:19:34
阅读：30
IXFT26N50Q是一款由IXYS公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等电力电子领域。该器件采用了先进的平面技术，提供了优良的导通和开关性能，能够在高频率下高效工作，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：26A
导通电阻(Rds(on))：典型值0.18Ω
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247AC
功率耗散(Pd)：300W
IXFT26N50Q具备低导通电阻的特点，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的栅极电荷量(Qg)较低，能够显著降低开关损耗，使其适用于高频开关应用。
该MOSFET具有较高的击穿电压（500V），能够在高电压环境下稳定运行，适用于多种高压电力电子系统。其高栅极电压容限（±20V）使得在驱动过程中不易损坏栅极绝缘层，提高了器件的耐用性。
在封装方面，IXFT26N50Q采用TO-247AC封装，具有良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而保证器件在高电流下稳定工作。该封装形式也便于安装和散热器连接，适合于高功率密度的设计需求。
此外，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定的性能，延长系统的使用寿命。
IXFT26N50Q广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、逆变器、照明系统（如HID灯镇流器）以及工业自动化控制系统。其高电压和高电流能力使其成为高功率应用的理想选择，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
IRF260N, FDP26N50, STP26NM50N
