时间：2025/9/20 18:50:07
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LE25FW106AMA-TLM-E是一款由Leadland Technology（领电科技）推出的串行Flash存储器芯片，广泛应用于需要低功耗、高可靠性和小尺寸封装的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅技术制造，具备高性能和高耐久性，适用于代码存储、数据记录以及固件存储等多种场景。LE25FW106AMA-TLM-E支持标准SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，兼容性强，能够与多种微控制器和处理器无缝对接。该芯片工作电压范围宽，适合电池供电设备及工业级应用环境。其封装形式为WSON8（Wafer-level Small Outline No-lead），体积小巧，有助于节省PCB空间，特别适用于便携式消费类电子产品、物联网终端、智能家居设备和可穿戴设备等对空间敏感的应用领域。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，满足现代绿色电子产品的设计要求。
型号：LE25FW106AMA-TLM-E
制造商：Leadland Technology
存储容量：106 Mbit（16 MB）
组织结构：131072 x 8位
接口类型：SPI QPI（四线SPI）
时钟频率：最高支持104 MHz
工作电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：WSON8 (2mm x 3mm)
写保护功能：支持软件和硬件写保护
擦除周期：10万次以上
数据保持时间：10年（典型值）
编程时间：典型页编程时间为0.6ms
待机电流：< 1μA（典型值）
快速读取模式：支持连续和非连续地址读取
LE25FW106AMA-TLM-E具备多项先进特性，确保其在复杂应用场景下的稳定性和高效性。首先，该芯片支持高速SPI和QPI双模式操作，可在单线、双线、四线IO模式下运行，显著提升数据传输速率，尤其适用于需要频繁读取程序代码或大量数据交换的应用。其次，芯片内置了先进的电源管理机制，在读取、编程和待机状态下均实现了低功耗设计，延长了电池供电系统的续航时间。
该器件提供全面的安全保护功能，包括软件和硬件写保护机制，防止因误操作或异常断电导致的关键数据丢失或损坏。同时支持按扇区、块或整片擦除操作，灵活性高，便于实现动态数据管理与分区存储策略。芯片还集成了状态寄存器，用户可通过读取状态位实时监控编程/擦除操作进度及故障信息。
LE25FW106AMA-TLM-E采用高可靠性浮栅技术，保证每个存储单元具备超过10万次的擦写寿命，并能在断电情况下可靠保存数据长达10年以上。其WSON8超小型无铅封装不仅节省空间，还具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产工艺。此外，产品经过严格的老化测试和ESD防护设计（HBM > 2kV），可在恶劣工业环境中稳定运行。所有这些特性共同使LE25FW106AMA-TLM-E成为高性能嵌入式存储解决方案的理想选择。
LE25FW106AMA-TLM-E广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中，它常用于智能手环、TWS耳机、电子标签和便携式音频设备中的固件存储；在物联网（IoT）节点设备中，作为传感器数据记录和配置信息存储介质；在智能家居控制系统中，用于Wi-Fi模组、Zigbee模块和无线网关的启动代码存放。
此外，该芯片也适用于工业控制设备，如PLC扩展模块、远程I/O单元和小型HMI面板，提供可靠的非易失性存储支持。在汽车电子领域，可用于车载信息娱乐系统的辅助存储或ADAS子模块的参数保存。由于其小封装和宽温特性，同样适合部署于医疗监测仪器、条码扫描器和POS终端等商业设备中。整体而言，凡是对空间、功耗和稳定性有较高要求的嵌入式系统，均可考虑采用LE25FW106AMA-TLM-E作为主要的串行Flash存储方案。
