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LE25FW106AMA-TLM-E 发布时间 时间:2025/9/20 18:50:07 查看 阅读:6

LE25FW106AMA-TLM-E是一款由Leadland Technology(领电科技)推出的串行Flash存储器芯片,广泛应用于需要低功耗、高可靠性和小尺寸封装的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅技术制造,具备高性能和高耐久性,适用于代码存储、数据记录以及固件存储等多种场景。LE25FW106AMA-TLM-E支持标准SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,兼容性强,能够与多种微控制器和处理器无缝对接。该芯片工作电压范围宽,适合电池供电设备及工业级应用环境。其封装形式为WSON8(Wafer-level Small Outline No-lead),体积小巧,有助于节省PCB空间,特别适用于便携式消费类电子产品、物联网终端、智能家居设备和可穿戴设备等对空间敏感的应用领域。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅和卤素,满足现代绿色电子产品的设计要求。

参数

型号:LE25FW106AMA-TLM-E
  制造商:Leadland Technology
  存储容量:106 Mbit(16 MB)
  组织结构:131072 x 8位
  接口类型:SPI QPI(四线SPI)
  时钟频率:最高支持104 MHz
  工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:WSON8 (2mm x 3mm)
  写保护功能:支持软件和硬件写保护
  擦除周期:10万次以上
  数据保持时间:10年(典型值)
  编程时间:典型页编程时间为0.6ms
  待机电流:< 1μA(典型值)
  快速读取模式:支持连续和非连续地址读取

特性

LE25FW106AMA-TLM-E具备多项先进特性,确保其在复杂应用场景下的稳定性和高效性。首先,该芯片支持高速SPI和QPI双模式操作,可在单线、双线、四线IO模式下运行,显著提升数据传输速率,尤其适用于需要频繁读取程序代码或大量数据交换的应用。其次,芯片内置了先进的电源管理机制,在读取、编程和待机状态下均实现了低功耗设计,延长了电池供电系统的续航时间。
  该器件提供全面的安全保护功能,包括软件和硬件写保护机制,防止因误操作或异常断电导致的关键数据丢失或损坏。同时支持按扇区、块或整片擦除操作,灵活性高,便于实现动态数据管理与分区存储策略。芯片还集成了状态寄存器,用户可通过读取状态位实时监控编程/擦除操作进度及故障信息。
  LE25FW106AMA-TLM-E采用高可靠性浮栅技术,保证每个存储单元具备超过10万次的擦写寿命,并能在断电情况下可靠保存数据长达10年以上。其WSON8超小型无铅封装不仅节省空间,还具有良好的热性能和机械稳定性,适用于自动化贴片生产工艺。此外,产品经过严格的老化测试和ESD防护设计(HBM > 2kV),可在恶劣工业环境中稳定运行。所有这些特性共同使LE25FW106AMA-TLM-E成为高性能嵌入式存储解决方案的理想选择。

应用

LE25FW106AMA-TLM-E广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中,它常用于智能手环、TWS耳机、电子标签和便携式音频设备中的固件存储;在物联网(IoT)节点设备中,作为传感器数据记录和配置信息存储介质;在智能家居控制系统中,用于Wi-Fi模组、Zigbee模块和无线网关的启动代码存放。
  此外,该芯片也适用于工业控制设备,如PLC扩展模块、远程I/O单元和小型HMI面板,提供可靠的非易失性存储支持。在汽车电子领域,可用于车载信息娱乐系统的辅助存储或ADAS子模块的参数保存。由于其小封装和宽温特性,同样适合部署于医疗监测仪器、条码扫描器和POS终端等商业设备中。整体而言,凡是对空间、功耗和稳定性有较高要求的嵌入式系统,均可考虑采用LE25FW106AMA-TLM-E作为主要的串行Flash存储方案。

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