时间：2025/5/7 9:18:50
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K9F2G08U0M-PIB0 是三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，采用3.3V工作电压。该芯片主要用于数据存储应用，具备高密度、低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于嵌入式系统、数码相机、MP3播放器以及其他便携式电子设备中。
该型号属于早期的NAND Flash系列，其容量为2Gb（256MB），基于多层单元（MLC）技术设计。尽管随着技术的发展，这类芯片已经被更高密度和更快速度的NAND Flash所取代，但其在特定领域仍然具有一定的使用价值。
容量：2Gb (256MB)
接口类型：8位异步NAND
封装形式：TSOP-48
工作电压：3.3V ± 0.3V
页面大小：512字节 + 16字节（OOB区域）
块大小：16KiB
擦除周期：100,000次（典型值）
数据保留时间：10年（典型值）
工作温度范围：0°C 至 70°C
K9F2G08U0M-PIB0 提供了相对较高的存储密度，在当时是一种性价比较高的解决方案。
1. 高存储容量：对于当时的消费类电子产品，256MB的容量已经能够满足大部分存储需求。
2. 简单的8位接口：便于与微控制器或其他处理器进行连接，简化了电路设计。
3. 快速写入和读取速度：支持高达每秒数兆字节的数据传输速率，适合多媒体文件存储。
4. 节能设计：较低的工作电压使其非常适合电池供电设备。
5. 块管理功能：内置坏块管理机制，提高了整体存储系统的可靠性。
6. 广泛的应用场景：不仅适用于简单的数据记录，还能够支持操作系统引导等功能。
K9F2G08U0M-PIB0 的主要应用包括但不限于：
1. 嵌入式系统中的固件存储。
2. 数码相机、摄像机等设备中的照片或视频存储。
3. MP3播放器及其他便携式音频设备的音乐文件存储。
4. USB闪存盘的基本存储介质。
5. 移动通信设备中的应用程序和用户数据存储。
6. 工业控制领域的数据日志记录。
由于其相对较低的成本和成熟的生产工艺，这款芯片曾经是许多低端至中端产品的首选存储方案。
K9F1G08U0A-PIB0, K9F5608U0D-PIB0, K9F1G08U0M-PIB0
