时间：2025/7/9 19:24:28
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GA1812A681FBCAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率和性能。
这款 MOSFET 支持大电流操作，并具备出色的热稳定性和可靠性，适合在高功率密度的应用场景中使用。
型号：GA1812A681FBCAR31G
类型：MOSFET (N-Channel)
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：95nC
开关时间：开启延迟时间 24ns / 关闭延迟时间 45ns
封装形式：D2PAK-7 (TO-263-7)
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GA1812A681FBCAR31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗。
3. 高额定电流能力，支持高达 120A 的连续漏极电流，满足大功率需求。
4. 先进的沟槽技术确保了更高的可靠性和稳定性。
5. 提供良好的热性能，优化了散热管理。
6. 广泛的工作温度范围，适应各种极端环境条件。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
GA1812A681FBCAR31G 适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电动车辆 (EV/HEV) 的电机驱动和电池管理系统。
4. 工业自动化设备中的功率控制。
5. 大功率 LED 驱动器。
6. 逆变器和 UPS 系统。
7. 各种需要高效功率转换和控制的电子设备。
GA1812A681FBCAR31GTR, GA1812A681FBCAR31GT
