时间：2025/9/7 10:54:03
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BUZ34是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件由英飞凌（Infineon）公司生产，具有高耐压、大电流承载能力以及低导通电阻等特点，适用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：53A
功耗（PD）：160W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
导通电阻（RDS(on)）：0.04Ω（典型值）
BUZ34具有出色的电气性能和热稳定性。其高耐压能力（VDS=100V）使其适用于多种中高功率应用场景。漏极电流可达53A，能够驱动较大的负载。导通电阻RDS(on)较低，通常仅为0.04Ω，有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。
该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适合在高温环境下工作。其栅极驱动电压范围为±20V，具有较强的抗干扰能力，同时可与常见的驱动电路兼容。
此外，BUZ34还具备较高的可靠性和耐用性，适合用于工业控制、汽车电子、消费类电源设备等领域。其设计优化了开关特性和热阻，能够在高频率开关应用中保持稳定运行。
BUZ34主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、逆变器以及电池管理系统等场合。在电源管理领域，它可用于高效的能量转换，减少功率损耗。在电机驱动电路中，它能够承受较大的瞬时电流，确保电机运行的稳定性。此外，该器件还可用于UPS（不间断电源）、充电器和LED驱动电源等设备。
IRFZ44N, STP55NF06, FDP55N06
