类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：12V
　　最大漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOT-23

LDTD143TLT1G 具有多个关键特性，使其在低压开关应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体效率。这在电池供电设备中尤为重要，因为它有助于延长电池寿命。
　　其次，该器件支持高达 20V 的漏源电压，使其能够适应多种低压应用环境。同时，其栅源电压最大为 12V，确保了在标准逻辑电压水平下的可靠运行，兼容常见的控制电路。
　　此外，LDTD143TLT1G 采用 SOT-23 小型封装，适合空间受限的设计，如移动设备和便携式电子产品。该封装不仅节省空间，还具备良好的热性能，有助于在较高负载下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 还具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内工作（-55°C 至 +150°C），适用于各种工业和消费类应用场景。其额定功率为 300mW，能够在有限的散热条件下保持良好的性能。
　　最后，LDTD143TLT1G 具有快速的开关特性，有助于减少开关损耗并提高系统的响应速度。这一特性使其非常适合用于脉宽调制（PWM）控制、DC-DC 转换器以及负载开关等需要高频操作的应用。

LDTD143TLT1G 主要用于低压电源管理系统，例如在便携式电子设备中作为负载开关或保护开关。它也可用于电池供电设备中的电源管理模块，以提高能效并延长电池寿命。此外，该器件适用于 DC-DC 转换器、LED 驱动电路、逻辑电平转换以及各种小型电源管理系统。由于其小型封装，它在空间受限的设计中特别受欢迎，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他低功耗电子产品中。该 MOSFET 的高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于工业控制设备和传感器模块。

2N7002LT1G, BSS138LT1G, FDN340P