类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：12V
　　漏极电流（Id）：4.1A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　功率耗散（Pd）：300mW

LDTD113EET1G MOSFET具备多项优异特性，包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。该器件采用先进的Trench沟槽技术，优化了导通和开关性能之间的平衡。其小尺寸SOT-23封装形式适用于空间受限的便携式电子设备和高密度电路设计。
　　此外，该MOSFET具有较高的栅极抗静电能力，提高了在实际应用中的可靠性和稳定性。LDTD113EET1G还具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。
　　在开关特性方面，LDTD113EET1G具有快速的上升和下降时间，适用于高频开关电路，如同步整流器、DC-DC转换器和LED驱动电路。其低输入电容（Ciss）和低输出电容（Coss）也减少了开关过程中的损耗，提高了整体系统效率。

LDTD113EET1G广泛应用于多种电子设备和系统中，包括移动电话、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子产品中的电源管理电路。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用作同步整流器，提高转换效率。此外，它还可用于电池供电设备的负载开关控制、电机驱动电路以及LED照明系统的恒流控制电路。
　　由于其高频开关能力和低导通电阻特性，LDTD113EET1G也常用于无线充电模块、智能卡读写器、USB电源开关以及各种低电压、中等电流的开关控制应用。在工业自动化控制系统中，该器件可用于驱动小型继电器、传感器和执行器。

LTD113EET1G, 2N7002E, BSS138, FDN337N