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ATSAMD21E16B-MU 发布时间 时间:2025/5/24 20:47:18 查看 阅读:15

ATSAMD21E16B-MU是Microchip公司推出的基于ARM Cortex-M0+内核的32位微控制器。该芯片专为低功耗和高性能的应用场景设计,广泛适用于物联网设备、消费电子、工业控制等领域。
  ATSAMD21E16B-MU具有丰富的外设接口和强大的处理能力,支持多种通信协议,同时提供灵活的电源管理模式以优化能耗。它集成了高达256KB的闪存和32KB的SRAM,能够满足大多数嵌入式应用的需求。

参数

内核:ARM Cortex-M0+
  主频:最高48MHz
  闪存:256KB
  SRAM:32KB
  GPIO引脚数:23
  ADC位数:12位
  UART接口数量:2
  SPI接口数量:2
  I2C接口数量:2
  封装形式:QFN32
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  供电电压:1.8V至3.6V

特性

ATSAMD21E16B-MU具有低功耗特性和高效的性能表现。其主要特性包括:
  1. ARM Cortex-M0+内核提供卓越的能效比,适合电池供电的设备。
  2. 集成的外设包括串行通信接口(UART、SPI、I2C)、模数转换器(ADC)等,能够简化硬件设计。
  3. 内置的DMA控制器可以减少CPU负载,提高数据传输效率。
  4. 支持多种低功耗模式,例如待机、深度睡眠等,进一步延长电池寿命。
  5. 提供全面的安全功能,如AES加密加速器和真随机数生成器(TRNG),增强数据保护能力。
  6. 具有可编程外设互联(Event System),允许外设之间直接通信而无需CPU介入。

应用

ATSAMD21E16B-MU适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 物联网终端设备,例如传感器节点、智能家居控制器等。
  2. 消费类电子产品,如便携式医疗设备、玩具、遥控器。
  3. 工业自动化领域中的小型控制器或监测单元。
  4. 人机界面设备,例如触摸屏控制器或键盘接口。
  5. 数据采集系统,利用其高精度ADC进行信号采样与处理。
  6. 电池供电设备,得益于其出色的低功耗设计。

替代型号

ATSAMD21E17A-MU, ATSAMD21E18A-MU

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ATSAMD21E16B-MU参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥20.51000托盘
  • 系列SAM D21E, Functional Safety (FuSa)
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 核心处理器ARM? Cortex?-M0+
  • 内核规格32 位单核
  • 速度48MHz
  • 连接能力I2C,LINbus,SPI,UART/USART,USB
  • 外设欠压检测/复位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT
  • I/O 数26
  • 程序存储容量64KB(64K x 8)
  • 程序存储器类型闪存
  • EEPROM 容量-
  • RAM 大小8K x 8
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.62V ~ 3.6V
  • 数据转换器A/D 10x12b;D/A 1x10b
  • 振荡器类型内部
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳32-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装32-VQFN(5x5)