ATSAMD21E16B-MU是Microchip公司推出的基于ARM Cortex-M0+内核的32位微控制器。该芯片专为低功耗和高性能的应用场景设计,广泛适用于物联网设备、消费电子、工业控制等领域。
ATSAMD21E16B-MU具有丰富的外设接口和强大的处理能力,支持多种通信协议,同时提供灵活的电源管理模式以优化能耗。它集成了高达256KB的闪存和32KB的SRAM,能够满足大多数嵌入式应用的需求。
内核:ARM Cortex-M0+
主频:最高48MHz
闪存:256KB
SRAM:32KB
GPIO引脚数:23
ADC位数:12位
UART接口数量:2
SPI接口数量:2
I2C接口数量:2
封装形式:QFN32
工作温度范围:-40°C至+85°C
供电电压:1.8V至3.6V
ATSAMD21E16B-MU具有低功耗特性和高效的性能表现。其主要特性包括:
1. ARM Cortex-M0+内核提供卓越的能效比,适合电池供电的设备。
2. 集成的外设包括串行通信接口(UART、SPI、I2C)、模数转换器(ADC)等,能够简化硬件设计。
3. 内置的DMA控制器可以减少CPU负载,提高数据传输效率。
4. 支持多种低功耗模式,例如待机、深度睡眠等,进一步延长电池寿命。
5. 提供全面的安全功能,如AES加密加速器和真随机数生成器(TRNG),增强数据保护能力。
6. 具有可编程外设互联(Event System),允许外设之间直接通信而无需CPU介入。
ATSAMD21E16B-MU适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 物联网终端设备,例如传感器节点、智能家居控制器等。
2. 消费类电子产品,如便携式医疗设备、玩具、遥控器。
3. 工业自动化领域中的小型控制器或监测单元。
4. 人机界面设备,例如触摸屏控制器或键盘接口。
5. 数据采集系统,利用其高精度ADC进行信号采样与处理。
6. 电池供电设备,得益于其出色的低功耗设计。
ATSAMD21E17A-MU, ATSAMD21E18A-MU