时间：2025/8/28 11:28:57
阅读：4
IR3Y30M4是一款由英飞凌（Infineon）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高效率的电力电子系统中。该器件设计用于在高电压和高电流条件下运行，具备优异的热性能和电气性能。IR3Y30M4采用先进的MOSFET技术，优化了导通和开关损耗，适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、电源模块、电机驱动和电池管理系统等。该器件封装在高性能的封装中，确保了在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ
功率耗散（Ptot）：170W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
IR3Y30M4具有多项优异的电气和热性能，使其成为高功率应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为2.7mΩ，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持高达180A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定运行。
IR3Y30M4采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件的使用寿命。其封装形式为PowerPAK SO-8，这种封装不仅提供了优异的热管理能力，还具有较小的封装尺寸，适用于高密度PCB布局。
此外，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围，从-55°C到175°C，使其适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业控制、汽车电子和新能源系统等。IR3Y30M4还具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态高压条件下提供更高的可靠性和稳定性。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的栅极驱动电路，并具备良好的开关性能。其快速开关能力可以降低开关损耗，提高系统的整体效率。
IR3Y30M4广泛应用于多个高功率电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、电源模块、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和新能源系统（如太阳能逆变器和电动汽车充电系统）等。在这些应用中，IR3Y30M4的高性能和高可靠性可以有效提升系统的整体效率和稳定性。
SiR3460DP-T1-GE3, NexFET CSD17551Q5A, STL180N3LLF8AG, IPB018N04NG4
