LDTC143ZET1G 时间：2025/5/12 13:35:30 阅读：8

LDTC143ZET1G 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频开关晶体管。该器件采用了先进的 GaN 工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合应用于高频 DC-DC 转换器、功率因数校正（PFC）、无线充电以及其它高效能电源管理领域。
　　与传统硅基 MOSFET 相比，LDTC143ZET1G 在高频工作条件下展现出显著的优势，能够有效降低开关损耗并提升系统效率。

参数

类型：增强型 GaN HEMT
　　额定电压：650V
　　额定电流：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
　　栅极电荷：25nC
　　最大工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-263 (D2PAK)

特性

LDTC143ZET1G 具备以下主要特性：
　　1. 高频开关能力：由于采用氮化镓技术，其开关速度远超传统的硅基 MOSFET，从而降低了开关损耗，并允许使用更小体积的无源元件。
　　2. 低导通电阻：150mΩ 的 Rds(on) 值使其在导通状态下具有更低的功耗。
　　3. 快速恢复时间：得益于 GaN 技术，其反向恢复时间和二极管效应几乎可以忽略不计。
　　4. 热稳定性强：即使在高温环境下也能保持较高的性能稳定性。
　　5. 易于驱动：兼容标准的 MOSFET 栅极驱动电路，便于直接替代现有的硅基解决方案。
　　6. 封装优势：TO-263 封装提供良好的散热性能，适合功率密度要求较高的应用。

应用

LDTC143ZET1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 高效 DC-DC 转换器设计。
　　2. 功率因数校正（PFC）电路。
　　3. 无线充电发射端及接收端模块。
　　4. 开关电源适配器。
　　5. 电动汽车车载充电器（OBC）。
　　6. 工业级电机驱动控制器。
　　7. 可再生能源逆变器，例如太阳能微型逆变器。
　　其高频特性和高效表现使得它成为许多高功率密度和高性能需求场景的理想选择。