时间：2025/8/25 0:05:12
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HGTD1N120CNS是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高电压、高频率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关应用。该器件采用先进的MOSFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换器、逆变器以及工业电机控制等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）：1.5A
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（典型值）
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
HGTD1N120CNS具有多项优良的电气和热性能，使其在高电压和高频率应用中表现出色。首先，其1200V的漏极-源极击穿电压支持高压电路设计，适用于工业电源和电机驱动系统。其次，低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高功率密度环境下稳定运行。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种功率电子设备的设计和制造。
该器件广泛应用于各种高电压和高频率开关场合，包括但不限于开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和高效能特性，HGTD1N120CNS也适用于需要高频操作的功率转换器和整流电路。
STTH1L06、IRGPC50K、IXFH15N120
