HGTD1N120CNS是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高电压、高频率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率开关应用。该器件采用先进的MOSFET技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于电源转换器、逆变器以及工业电机控制等场合。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds):1200V
连续漏极电流(Id):1.5A
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):约2.5Ω(典型值)
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
HGTD1N120CNS具有多项优良的电气和热性能,使其在高电压和高频率应用中表现出色。首先,其1200V的漏极-源极击穿电压支持高压电路设计,适用于工业电源和电机驱动系统。其次,低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在高功率密度环境下稳定运行。其TO-220封装形式便于安装和散热管理,适用于多种功率电子设备的设计和制造。
该器件广泛应用于各种高电压和高频率开关场合,包括但不限于开关电源(SMPS)、逆变器、电机控制、照明系统以及工业自动化设备。由于其高耐压能力和高效能特性,HGTD1N120CNS也适用于需要高频操作的功率转换器和整流电路。
STTH1L06、IRGPC50K、IXFH15N120