FSDM0265RNB 时间：2025/4/29 9:58:30 阅读：1

FSDM0265RNB 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的超结 MOSFET。该器件专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
　　这款 MOSFET 采用 TO-247 封装形式，能够承受较高的电压和电流负载。其优化的栅极电荷设计使得开关损耗显著降低，从而提升了系统的整体效率。

参数

型号：FSDM0265RNB
　　封装：TO-247
　　VDS（漏源击穿电压）：650 V
　　RDS(on)（导通电阻）：180 mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　ID（连续漏极电流）：20 A
　　Qg（总栅极电荷）：42 nC
　　EAS（雪崩能量）：1.3 J
　　fT（特征频率）：2.1 MHz
　　VGS(th)（栅源开启电压）：3 V~4 V
　　工作温度范围：-55℃~175℃

特性

FSDM0265RNB 具备以下主要特性：
　　1. 高电压耐受能力（650V），使其适用于多种高压工业及消费类电子应用。
　　2. 极低的导通电阻（180mΩ 典型值），减少了传导损耗，提高了系统效率。
　　3. 快速开关速度得益于优化的栅极电荷设计，降低了开关损耗。
　　4. 强大的雪崩能力和鲁棒性，确保在恶劣条件下的可靠运行。
　　5. 广泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），适应各种环境需求。
　　6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用

FSDM0265RNB 的典型应用场景包括：
　　1. 开关电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
　　2. DC-DC 转换器，特别是在高效率和高功率密度设计中。
　　3. 工业电机驱动控制，例如变频器和伺服系统。
　　4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
　　5. PFC（功率因数校正）电路，以提升能源利用率。
　　6. 各种需要高频、高效功率开关的应用领域。