时间：2025/9/5 22:57:02
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T4M35T600B 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频率的应用场景，如电源转换、电机控制、开关电源（SMPS）和逆变器系统。该型号属于MOSFET的N沟道类型，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合需要高效能和高可靠性的电子系统。T4M35T600B采用TO-247封装，具备良好的散热性能和机械稳定性。
类型：N沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：600V
漏极-栅极电压(Vdg)：600V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：35A
功耗(Pd)：200W
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.16Ω
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
T4M35T600B具有多项高性能特性，首先其600V的漏极-源极电压和35A的连续漏极电流使其适用于高电压和大电流的工作环境。该MOSFET的导通电阻较低，典型值为0.16Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，T4M35T600B支持±30V的栅极-源极电压，使其在驱动电路设计上具备更高的灵活性和抗干扰能力。
该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于需要长时间高负载工作的应用。T4M35T600B还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小外围元件的尺寸并提升系统效率。此外，该器件的结构设计优化了热稳定性和短路耐受能力，确保在恶劣工作条件下的稳定运行。
T4M35T600B主要应用于高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、光伏逆变器、变频器以及工业自动化控制系统。由于其具备高电压和大电流处理能力，T4M35T600B特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理模块。在电动汽车和新能源系统中，该器件可用于电池管理系统（BMS）中的功率控制部分。此外，在家电控制、工业电机控制和LED照明电源等场景中，T4M35T600B也常被用作功率开关元件。
TK35A60D, 2SK2143, IRFP460LC, FQA35N60C
