晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　频率（fT）：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：100至800（根据档位不同）
　　输入电阻（R1）：10kΩ
　　发射极电阻（R2）：10kΩ

LDTC143TM3T5G是一款带有内置偏置电阻的晶体管，其基极和发射极分别集成有10kΩ的电阻器，使得该器件可以直接与数字信号源（如微控制器或逻辑IC）配合使用，而无需外部偏置电路。这种设计简化了电路设计，减少了外围元件数量，并降低了电路板的空间占用。此外，该晶体管具有较高的开关速度，适用于高频开关应用。
　　该器件的封装形式为SOT-23-3，属于小型表面贴装封装，适合自动化装配工艺。LDTC143TM3T5G的工作温度范围宽，能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适合在各种工业和汽车环境中使用。
　　由于其内置电阻设计，LDTC143TM3T5G在使用过程中能够有效限制基极电流，防止因过大的基极驱动电流而导致的晶体管损坏。这种自限流特性也使得该晶体管在逻辑接口应用中具有更高的可靠性。

LDTC143TM3T5G广泛应用于各种电子系统中，特别是在需要逻辑电平转换或晶体管开关控制的场合。例如，它可用于驱动LED、继电器、小型电机或其他负载，通过微控制器或数字逻辑电路进行控制。该晶体管也常用于接口电路，将5V或3.3V逻辑电平转换为适合驱动更高电压或更大电流负载的信号。
　　在汽车电子领域，LDTC143TM3T5G可用于车身控制模块、仪表盘指示灯驱动、车载娱乐系统控制电路等场合。在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，该晶体管可作为开关或逻辑控制元件，实现低功耗和高集成度的设计需求。
　　此外，该器件还适用于电源管理电路、传感器接口、逻辑缓冲器、继电器驱动电路以及低边开关应用。由于其高可靠性与小型化设计，特别适合空间受限且对稳定性要求较高的应用。

LDTC143TEBCPG、LDTC143WMA3T5G、MUN5211DW1T1G、MUN5211DW1T5G