时间：2025/7/30 10:26:55
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A1266ELHLT-T是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中，例如电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场景。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，以提供更低的导通电阻和更高的效率，适用于需要高可靠性和高性能的工业和消费类应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：6.0A
最大漏-源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（最大值，@Vgs=10V）
栅极阈值电压：1.0V至2.5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-223
功率耗散：80W
A1266ELHLT-T MOSFET具备低导通电阻的特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其55mΩ的最大Rds(on)值在10V栅极电压下表现优异，适合需要高效能功率转换的应用。此外，该器件采用了SOT-223封装，体积小且散热性能良好，适合高密度PCB设计。MOSFET的栅极阈值电压范围在1.0V至2.5V之间，使其兼容多种驱动电路，包括常见的低压微控制器输出。该器件还具有良好的热稳定性和高耐用性，能够在苛刻的环境条件下保持稳定运行。
另外，A1266ELHLT-T的结构设计优化了开关性能，减少了开关损耗，有助于提升整体系统的响应速度和能效。这种MOSFET适用于高频开关应用，如电源供应器、电池管理系统和电机控制电路。
A1266ELHLT-T常用于各类电源管理电路中，例如同步整流器、DC-DC转换器和负载开关。它也适用于需要高效功率控制的消费电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。此外，该MOSFET还可用于工业设备中的电机驱动电路、LED照明控制系统以及各种电池供电设备中的功率管理模块。
A1266HHLT-T, A1266EHLT-T
