类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：55A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：约15mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　最大功耗（PD）：130W
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C~150°C

FMOSAC55N06-H具备多项关键特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。在60V的漏源电压下，55A的最大漏极电流能力使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，确保良好的散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
　　该器件的栅极阈值电压范围为2V~4V，兼容标准的逻辑电平驱动，便于与各种控制电路集成。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热管理，还具有良好的机械稳定性和耐用性。FMOSAC55N06-H还具备快速开关特性，适用于高频操作，进一步提升了系统的响应速度和效率。
　　从可靠性角度看，该MOSFET具有良好的抗过载能力和短路保护特性，适用于工业级应用环境。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）也确保了在极端条件下的稳定运行。

该器件广泛应用于各类功率电子设备中，例如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS系统、工业自动化控制设备以及家用电器中的电源模块。其高效能和高可靠性的特性也使其成为新能源汽车、储能系统和智能电网等高端应用领域的理想选择。

FDMS86180, SiR862DP, IRF3205