ME60N03AG 时间：2025/7/2 15:34:29 阅读：6

ME60N03AG 是一款 N 沣道沟增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 ME 半导体公司生产。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种电源管理应用。其封装形式为 TO-252（DPAK），广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。
　　该型号的设计目标是满足高效能功率转换需求，特别适合对能耗和空间有严格要求的场合。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：6.9A
　　导通电阻（典型值）：18mΩ
　　栅极电荷：12nC
　　总电容（输入电容）：520pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

ME60N03AG 具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功率损耗并提高效率。
　　2. 高速开关能力，得益于较小的栅极电荷和较低的米勒电容，有助于降低开关损耗。
　　3. 紧凑型 DPAK 封装，能够提供出色的散热性能，并节省 PCB 布局空间。
　　4. 强大的雪崩能力和 ESD 保护功能，确保在异常工作条件下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。

应用

ME60N03AG 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率级控制。
　　2. DC-DC 转换器，尤其是降压或升压拓扑结构。
　　3. 电机驱动电路，例如步进电机和直流无刷电机。
　　4. LED 驱动电路，用于恒流和调光控制。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的负载切换和保护功能。
　　6. 工业自动化设备中的功率控制模块。